通过成果推介，我校专利成果（共11项）拟转让予云南凝慧电子科技有限公司；经知识产权代理事务所评议最终确定转让金额为人民币1852800元整（壹佰捌拾伍万贰仟捌佰圆整）。目前，企业方认可转让价格，该专利评议报备手续完整，校方拟同意该专利权转让。特此公示。
公示期15天。如有异议请在公示期致电。
发明名称、发明人及专利号详见表1。
联系人：王毅 许权利
电话：88202418
西安电子科技大学科研成果管理办公室
2017年5月23日
表1 专利权转让相关信息列表
| 序号 |
专利名称 |
发明人 |
专利号 |
专利授权日 |
专利权人 |
转让费（万元） |
| 1 |
基于刻蚀的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 |
马晓华，陈伟伟，汤国平，郝跃，赵胜雷 |
ZL201310280216.3 |
2015.10.28 |
西安电子科技大学 |
42.6 |
| 2 |
基于m面SiC衬底的非极性m面GaN薄膜的MOCVD生长方法 |
郝跃，许晟瑞，张进成，周小伟 |
ZL201010209325.2 |
2012.05.23 |
西安电子科技大学 |
39.9 |
| 3 |
基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法 |
张进成，张琳霞，郝跃，马晓华，王冲，霍晶，艾姗，党李莎，孟凡娜 |
ZL201210131041.5 |
2014.08.20 |
西安电子科技大学 |
20.48 |
| 4 |
HEMT器件栅泄露电流中台面泄漏电流的测试方法 |
郑雪峰，范爽，孙伟伟，张建坤，康迪，王冲，杜鸣，曹艳荣，马晓华，郝跃 |
ZL201410319025.8 |
2016.08.17 |
西安电子科技大学 |
10.41 |
| 5 |
基于a面6H-SiC衬底上a面GaN缓冲层上InN半导体器件的制备方法 |
许晟瑞，操荣涛，张进城，郝跃，哈微，葛莎莎 |
ZL201310237610.9 |
2015.10.21 |
西安电子科技大学 |
9.18 |
| 6 |
基于SiC衬底的太赫兹GaN耿氏二极管及其制作方法 |
杨林安，毛维，何寒冰，郝跃 |
ZL201210005728.4 |
2013.12.25 |
西安电子科技大学 |
20.07 |
| 7 |
基于复合漏极的槽栅高压器件及其制作方法 |
冯倩，杜锴，马晓华，郑雪峰，代波，郝跃 |
ZL201410033307.1 |
2016.08.17 |
西安电子科技大学 |
4.14 |
| 8 |
一种基于槽栅高压器件及其制作方法 |
冯倩，杜锴，马晓华，郑雪峰，代波，郝跃 |
ZL201410033269.X |
2016.03.02 |
西安电子科技大学 |
4.14 |
| 9 |
选区外延的一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法 |
马晓华，郝跃，汤国平，陈伟伟，赵胜雷 |
ZL 201310280177.7 |
2016.03.02 |
西安电子科技大学 |
21.84 |
| 10 |
加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及制作方法 |
冯倩，杜锴，马晓华，郑雪峰，代波，郝跃 |
ZL 201410025516.1 |
2016.05.04 |
西安电子科技大学 |
4.14 |
| 11 |
基于双线性渐变Al组分AlGaN电子发射层GaN耿氏二极管及制作方法 |
杨林安；许祥；李亮；张进成；郝跃 |
ZL 201410272508.7 |
2016.10.12 |
西安电子科技大学 |
8.38 |
| 合计 |
185.28 |
