前言：为落实贯彻《西安电子科技大学关于加强大学文化建设的实施意见》和学校宣传思想工作会议精神，继续将镜头对准基层，讲好“西电故事”，传承西电精神，党委宣传部、研究生院/研究生工作部、校团委等部门联合推出“研途先锋——向优秀同学学习”系列报道。该报道旨在挖掘西电研究生群体中的先进事迹，宣传我们身边的青春榜样，积极营造崇德向善、见贤思齐的浓厚氛围，让广大研究生行有示范、追有目标。欢迎各单位积极提供线索，我们将安排专人进行采访报道。联系人：卢毅，联系电话：88202308，邮箱：luyi@xidian.edu.cn。

王洪娟：潜心钻研 勇攀学术高峰

■通讯员卢毅 程珺

通过引入异质结工程和应变工程的方式，减小材料有效带隙及有效质量，提高隧穿场效应晶体管（TFET）的隧穿几率，促进TFET器件性能的提升；设法通过引入应变及优化表面钝化工艺提升沟道载流子迁移率，进而得到高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。看似枯燥的内容，就是王洪娟研究生阶段一直致力于实现低功耗、高性能场效应晶体管的研究。

王洪娟在日本筑波参加SSDM2106国际会议

王洪娟道：“集成电路工艺节点已经发展到10 nm以下，高功耗已经成为限制集成电路进一步发展的主要难题。如何解决这一问题，是现在许多专家学者在做的事情，而我也是其中一份子。与传统CMOS相比，TFET能够实现室温下低于60mV/decade的陡峭亚阈值摆幅，从而降低集成电路的工作电压和芯片功耗。但仍面临隧穿几率较低的难题，而我做的就是通过引入应变等方式解决这一问题，努力提高隧穿几率，提升器件性能。”

王洪娟在ICSICT2016国际会议上获得优秀学生论文奖

本期的研途先锋将走进微电子学院的博士研究生王洪娟。洪娟同学在校期间发表SCI论文6篇，国际会议口头报告6次，其中邀请报告一次，16年10月获得ICSICT国际学术会议“Excellent student paper award“，获得博士研究生国家奖学金3次，拥有两项国家授权发明专利。今天让我们共同聆听她的心路历程。

【人物故事】

硕士提前毕业、多次获得研究生国家奖学金、多次参加国际学术会议并获奖

话不多、穿着朴素、素面朝天，典型的“工科女”。本科专业电子科学与技术，对场效应晶体管的印象仅限于将其用于电路设计中。硕士开始师从刚从新加坡国立大学回国的韩根全教授，从此开始跟微电子结缘，并一发不可收拾的喜欢上了这个专业，潜心钻研下，取得了一系列成果。

硕士期间发表SCI论文4篇，国际会议口头报告3次，其中邀请报告1次，获得授权发明专利2项，两次获得研究生国家奖学金，硕士提前毕业并获得2015年优秀硕士毕业生荣誉称号。硕士期间，针对IV族材料TEFT和MOSFET器件性能提升进行了深入的研究，其成功制备了锗作为源极且硅作为沟道和漏极的TFET器件，实现了小于60 mV/decade的陡峭亚阈值摆幅，该成果发表在Chinese Physics Letter 30 (2013) 088502；研究了基于低温乙硅烷钝化的锗及锗锡材料的MOSFET器件包括负偏压温度不稳定等在内的性质，相关成果发表在ECS Solid State Letters, 3 (2014) 11-13 及Chinese Physics Letter 31 (2014) 058503；设计了异质结增强TFET即基于不同组分的锗锡材料之间形成异质结设计器件结构，实现器件工作电流的大幅度提升，该成果发表在Superlattice and Microstructures 83 (2015) 401-410；研究了引入应变之后的锗锡材料的能带变化，设计了新型的应变TFET结构，相关成果在2015 VLSI Technology, System and Application (VLSI-TSA)会议上做口头报告；基于锗锡材料及应变工程申请了两项国家发明专利且均获得授权 (双轴张应变GeSn n沟道隧穿场效应晶体管ZL 2014 1 0057748.5，带有源应变源的GeSn n沟道隧穿场效应晶体管 ZL 2014 1 0057722.0)。

2016年3月博士入学至今，王洪娟继续针对TEFT及高性能MOSFET器件进行深入的研究，已经发表SCI论文2篇，国际会议口头报告3次并获得International Conference on Solid -State and Integrated Circuit Technology (ICSICT) 2016国际会议优秀学生论文奖 （Excellent Student Paper Award），获得2016年博士研究生国家奖学金及一等学业奖学金。其基于锗锡与硅锗锡材料设计了II型异质结P和N型TFET器件，完成了一系列仿真并进行了深入的分析，相关成果发表在IEEE Transactions on Electron Devices, vol 63, no 1, 2016及Japanese Journal of Applied Physics, vol 55, no 4, 2016；研究了沿Fin方向施加单轴张应变时鳍形TFET器件性能的变化，相关结果已经投稿到IEEE Transactions on Electron Devices及Japanese Journal of Applied Physics上，且部分已经在2016 Solid State Devices and Material (SSDM)国际会议上以口头报告的形式发表；还对基于锗及锗锡材料的TFET及MOSFET器件进行了实验测试分析，相关成果发表在2016 International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS)及2016 ICSICT，且在ICSICT会议上受到业内广泛好评并获得Excellent Student Paper Award。

【他人眼中】

乐观积极，严谨踏实，在快乐中学习
作为王洪娟的直系师妹，韩根全教授的硕士研究生阚杨若颖，每当提起这个“奇葩”师姐，她总说：“这个师姐总是很乐观积极，能够在很愉快的气氛中解决科研中遇到的问题。虽然生活中挺迷糊的，但是一讲到学术问题，能够瞬间转换模式，变得严谨起来。还很热心，总能跟师弟师妹们打成一片，帮助解决学术研究中遇到的一些问题，是个很不错的师姐。”

【导师评价】

努力踏实、敢于拼搏、积极乐观

在导师韩根全教授的眼中，王洪娟是一个能够把握机会、敢于拼搏且踏实严谨的学生。他评价说：“王洪娟在搞好科研的同时，对学习没有一丝的懈怠，一直努力上进，踏实好学且积极乐观。学术上获得的成果也是有目共睹的，发表论文多篇，获奖多项，成绩斐然。”

【她这样说】

学术道路上没有一帆风顺，踏实严谨才能越走越远

“在很多人眼中，我是很幸运的，幸运的发表了多篇论文，幸运的参加过多次国际会议，获得多个奖项”，她说：“但是他们没有看到我的努力。初次接触TFET与MOSFET器件的我是懵的，不懂工作原理，甚至连最基本专业术语都没有掌握。怎么办？只有从基础抓起。大量阅读相关文献，了解研究背景，掌握相关基础知识。这个过程是漫长的，但是只有耐心下来踏实的完成这个学习的过程，才能有个质的提高。”

“我确实又是幸运的，因为遇到了一个醉心科研，踏实做学术的导师韩根全教授，他会给学生指明方向，让学生少走很多弯路。但学术的道路上充满了各种困难，不是有一个好导师就万事大吉了，还需要自己继续努力。就拿器件仿真来说，师妹们是很幸福的，因为我在教他们的过程中会把自己遇到过的问题直接告诉他们，进而效率大大提高。但回想自己初次接触Sentaurus软件时，可以说两眼摸黑，根本就不知道该如何开始。问了很多人，回复我的话很多都是‘我没有遇到过这些问题，你再研究研究’。我也曾抱怨过这些人为什么不懂得分享，不乐于助人呢，后来我想明白了，别人没有义务帮你，所幸后来一步一步的解决了各种问题，终于能够熟练的掌握计算方法，也出了一些成果。

感谢我的导师，是他让我走上了科研的道路，感谢那些帮助过我的人，是他们让我少走弯路，并有了一颗乐于助人的心，也感谢‘那些不能给我帮助’的人，是他们让我学会独立的解决问题，认识到科研的道路上没有一帆风顺，唯有踏实严谨才能走的更远。”