西电新闻网讯（通讯员 程珺）西安电子科技大学微电子学院郝跃院士科研团队的研究生王洪娟和张虹霄在IEEE 13th International Conference on Solid State and Integrated Circuits Technology（简称ICSICT）2016年会上获得了“Excellent Student Paper Award”奖项。

来自国内外高校的11位优秀学生论文奖获得者合影

王洪娟获优秀学生论文奖

ICSICT优秀学生论文奖证书

在郝跃院士的带领下，微电子学院在非硅微电子器件的研究方向上取得了重要的进展。非硅微电子器件是后摩尔时代的主流技术，也是郝跃院士近年来主要推动的研究方向之一。韩根全教授指导的研究生王洪娟同学，在锗与锗锡量子阱高迁移率CMOS和隧穿场效应晶体管的研究中取得了国际一流的研究成果。会议上，王洪娟同学做了题目为“High Mobility Ultra-Thin Ge and GeSn Channel PMOSFETs Fabricated on Si Platform”的口头报告，报道的SOI衬底上应变锗量子阱pMOSFET空穴迁移率高达897 cm2/Vs，相比于常规Si器件提高了18倍。她的报告获得了包括IEEE Electron Device Letters杂志编辑Albert Chin 教授等在内的多名国际知名专家的高度评价。张春福教授指导的研究生张虹霄同学，其关于钙钛矿太阳能电池研究的张贴报告也获得广泛好评。

相关结果截图：SOI衬底上应变锗pMOSFET的空穴迁移率高达897 cm2/Vs

ICSICT会议是国际微电子领域的重要会议，第十三届IEEE固态和集成电路国际会议于2016年10月25日-28日在杭州召开，时值30周年之际，大会邀请耶鲁大学T. P. Ma教授等众多微电子行业杰出人物分别做了精彩的主题报告。英特尔、IBM及台积电的研发部门和IMEC等单位纷纷报道了其最新的相关研究成果，国外多所大学以及北京大学、复旦大学和西安电子科技大学等高校派出代表参加此次会议。