现代Si CMOS IC工艺流程（二）
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戴显英
目录
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1 绪论
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1.1 绪论教学设计
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1.2 集成电路技术发展历史
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1.3 中国集成电路发展历程
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1.4 摩尔定律
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1.5 集成电路产业链
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1.6 绪论测验
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2 硅单晶与硅片制备
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2.1 教学设计
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2.2 半导体硅的重要性
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2.3 多晶硅的制备
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2.4 Si单晶的制备
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2.5 硅片的制备
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2.6 硅片测验
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3 氧化
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3.1 教学设计
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3.2 热氧化的种类及应用
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3.3 硅的热氧化生长过程分析
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3.4 迪尔-格罗夫氧化动力学分析
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3.5 热氧化生长速率
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3.6 影响氧化速率的决定性因素
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3.7 影响氧化速率的其他因素
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3.8 热氧化过程中的杂质再分布
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3.9 快速初始氧化阶段
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3.10 氧化测验
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4 扩散
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4.1 教学设计
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4.2 扩散的基本概念
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4.3 扩散系数和扩散方程
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4.4 扩散杂质浓度分布
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4.5 二维扩散和扩散的局限性
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4.6 扩散工艺
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5 离子注入
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5.1 教学设计
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5.2 离子注入基本概念
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5.3 离子注入机理
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5.4 离子注入分布
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5.5 沟道效应
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5.6 离子注入损伤
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5.7 离子注入退火
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5.8 快速热退火
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5.9 离子注入应用
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5.10 扩散与离子注入测验
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6 物理气相淀积
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6.1 教学设计
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6.2 薄膜制备基本概念
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6.3 真空蒸发基本概念
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6.4 真空蒸发方式
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6.5 真空蒸发应用及局限性
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6.6 溅射基本概念
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6.7 溅射方法
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7 化学气相淀积
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7.1 教学设计
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7.2 CVD基本概念与应用
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7.3 CVD的基本过程
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7.4 化学气相淀积动力学分析
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7.5 影响淀积速率的因素
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7.6 CVD系统
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7.7 CVD多晶硅与金属
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7.8 CVD二氧化硅
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7.9 CVD氮化硅
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8 外延工艺
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8.1 教学设计
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8.2 外延的基本概念
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8.3 外延生长模型
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8.4 外延生长的影响因素
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8.5 外延层杂质分布
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8.6 先进的外延技术
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8.7 PVD+CVD+外延测验
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9 光刻工艺
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9.1 教学设计
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9.2 光刻工艺重要性与光刻三要素
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9.3 光刻工艺流程（上）
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9.4 光刻工艺流程（下）
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9.5 光刻分辨率
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9.6 光刻胶
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9.7 光刻版
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9.8 光刻机
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9.9 曝光光源
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9.10 光刻测验
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10 刻蚀
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10.1 教学设计
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10.2 刻蚀参数
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10.3 湿法刻蚀
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10.4 干法刻蚀
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10.5 干法刻蚀的应用
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11 金属化
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11.1 教学设计
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11.2 典型金属化材料及应用
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11.3 金属铝的性质与铝互连
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11.4 铜互连工艺的关键
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11.5 多层互连与平坦化技术
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12 工艺集成与工艺流程
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12.1 教学设计
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12.2 集成电路中的隔离
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12.3 Si CMOS IC的阱工艺及工艺流程
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12.4 标准埋层双极集成电路技术与工艺流程
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12.5 Si CMO IC工艺技术特征与发展
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12.6 现代Si CMOS IC工艺流程（一）
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12.7 现代Si CMOS IC工艺流程（二）
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12.8 现代Si CMOS IC工艺流程（三）
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12.9 工艺集成测验
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13 工艺仿真与工艺设计虚拟实践教学
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13.1 教学设计课件及软件教程
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13.2 单项工艺虚拟仿真
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13.3 GaN LED工艺制造与光电特性虚拟仿真实验
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13.4 晶体管制造工艺设计
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14 案例教学-高应力氮化硅致应变SOI技术
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14.1 教学设计、课件
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14.2 课堂教学录像
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15 专题研讨-延续摩尔定律的创新工艺技术
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15.1 教学设计、课件
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15.2 课堂教学录像
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16 翻转课堂-课程论文答辩
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16.1 课程论文设计
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16.2 课程论文答辩
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17 课程总结
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17.1 ppt课件
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17.2 课堂教学录像
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18 课程考核
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18.1 课程考核成绩组成
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18.2 平时作业
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18.3 随堂测试
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18.4 课堂讨论
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18.5 课程论文暨翻转课堂
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18.6 工艺仿真与工艺设计实践
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18.7 期末考试
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18.8 课程成绩
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