外延生长的影响因素
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戴显英 毛维 赵天龙 王树龙 魏葳 元磊 王悦湖 杨力宏 胡辉勇
目录
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1 绪论
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1.1 集成电路技术发展历史
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1.2 中国集成电路发展历程
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1.3 摩尔定律
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1.4 集成电路产业链
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2 硅单晶与硅片制备
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2.1 半导体硅的重要性
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2.2 多晶硅的制备
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2.3 Si单晶的制备
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2.4 硅片的制备
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3 氧化
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3.1 热氧化的种类及应用
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3.2 硅的热氧化生长过程分析
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3.3 迪尔-格罗夫氧化动力学分析
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3.4 热氧化生长速率
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3.5 影响氧化速率的决定性因素
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3.6 影响氧化速率的其他因素
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3.7 热氧化过程中的杂质再分布
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3.8 快速初始氧化阶段
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4 扩散
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4.1 扩散的基本概念
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4.2 扩散系数和扩散方程
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4.3 扩散杂质浓度分布
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4.4 二维扩散和扩散的局限性
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4.5 扩散工艺
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5 离子注入
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5.1 离子注入基本概念
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5.2 离子注入机理
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5.3 离子注入分布
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5.4 沟道效应
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5.5 离子注入损伤
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5.6 离子注入退火
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5.7 快速热退火
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5.8 离子注入应用
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6 物理气相淀积
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6.1 薄膜制备基本概念
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6.2 真空蒸发基本概念
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6.3 真空蒸发方式
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6.4 真空蒸发应用及局限性
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6.5 溅射基本概念
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6.6 溅射方法
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7 化学气相淀积
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7.1 CVD基本概念与应用
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7.2 CVD的基本过程
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7.3 化学气相淀积动力学分析
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7.4 影响淀积速率的因素
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7.5 CVD系统
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7.6 CVD多晶硅与金属
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7.7 CVD二氧化硅
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7.8 CVD氮化硅
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8 外延
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8.1 外延的基本概念
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8.2 外延生长模型
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8.3 外延生长的影响因素
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8.4 外延层杂质分布
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8.5 先进的外延技术
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9 光刻工艺
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9.1 光刻工艺重要性与光刻三要素
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9.2 光刻工艺流程（上）
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9.3 光刻工艺流程（下）
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9.4 光刻分辨率
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9.5 光刻胶
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9.6 光刻版
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9.7 光刻机
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9.8 曝光光源
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10 刻蚀
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10.1 刻蚀参数
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10.2 湿法刻蚀
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10.3 干法刻蚀
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10.4 干法刻蚀的应用
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11 金属化
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11.1 典型金属化材料及应用
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11.2 金属铝的性质与铝互连
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11.3 铜互连工艺的关键
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11.4 多层互连与平坦化技术
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12 工艺集成
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12.1 集成电路中的隔离
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12.2 Si CMOS IC工艺技术
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12.3 双极集成电路和BiCMOS的工艺集成
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13 Si CMOS IC技术特征与工艺流程
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13.1 Si CMOS IC 工艺发展与技术特征
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13.2 现代Si CMOS IC工艺流程一
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13.3 现代Si CMOS IC工艺流程二
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13.4 现代Si CMOS IC工艺流程三
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