一、教学目标：进一步熟悉并掌握外延与CVD工艺的技术特性，了解应变硅技术原理、特性及应用，学习提高分析问题和解决问题的能力。

二、教学内容：本案例选自本课程主讲教师的教育部科技进步二等奖、国家发明专利和国家自然基金项目的研究成果，主要教学内容包括应变Si技术原理、特性及应用，SiN薄膜特性及应用、高应力氮化硅致晶圆级应变SOI技术。

三、教学方法与手段：案例教学和互动式教学。

四、教学要求：学生课前学习与复习CVD和外延工艺原理与技术特性、SiN薄膜的CVD淀积工艺及薄膜特性、应变Si技术原理、特性及应用。

五、课程思政：一分为二的马克思哲学思想的运用。

六、主要参考文献：

1、张汝京著，《纳米集成电路制造工艺》（第二版）（Nanoscale Integrated Circuits-The Manufacturing Process），清华大学出版社，2017.1

2、温德通著，集成电路制造工艺与工程应用，机械工业出版社，2018.7