科研生产环境与设备

目前拥有一套完整的宽禁带材料生长和器件研制的工艺设备和环境，400平方米以上面积的超净实验室环境3套和完整的测试分析设备。

1000级微电子超净工艺实验室超净间，连同材料生长、器件制作和相关表征设备，形成了一条完整的化合物半导体材料和器件工艺线。

超净实验室 GaN/SiC材料生长设备

MOCVD-320 （3片2英寸） 世界最先进的碳化硅外延生长设备－EPIGRESS公司

GaN材料生长设备（自主知识产权研制，国内首台） 6片热璧式低压SiC外延系统