（通讯员：王湛梁佳博）2017年5月4日上午，台湾国立中山大学张鼎张教授应邀来到宽带隙半导体技术国家重点学科实验室进行学术交流，带来题为“低温超临界流体技术与器件改善技术”的学术报告。

报告会上，张鼎张教授首先介绍了低温超临界流体技术的基本原理：超临界流体是对气体进行加压实现的兼具液体和气体特点的新物质状态，其具有气体的高穿透性和液体的高溶解性，将不同溶质溶解在超临界流体中，可有效消除和钝化材料中的缺陷，改善器件性能。

接着张教授详细讲述了低温超临界流体技术目前在忆阻器、薄膜晶体管、GaN基LED、SiC基高功率器件以及新型二维材料等方面的应用，并利用各种电学量测手段分析该技术在消除缺陷，减小漏电，提高开态电流，减少迟滞反应等方面的物理机制。

报告的最后张教授介绍了他的课题组近几年在这一技术上的突破和进展，分享了课题组与台积电，友达等著名半导体企业的合作事例和经验，教导同学们要在科研过程密切关注半导体行业发展遇到的一些问题和解决方法，他鼓励大家结合实际问题，创造性地将这一技术运用在更多的领域中。随后张教授与在场师生热情互动，探讨了有关钝化处理、缺陷测量、器件可靠性等方面的问题。

在报告结束后，张鼎张教授与重点实验室的教师、研究生等开展了深入的交流座谈。

张鼎张教授个人简介：

张鼎张教授是台湾国立中山大学物理系特聘教授，研究方向涵盖信息存储器件、半导体场效应器件和薄膜晶体管技术等诸多领域，近五年来作为通讯作者在MaterialsToday, Applied Physics Letter, IEEE Electronics Letter等国际知名期刊上已发表学术论文200余篇。