（通讯员：祝杰杰 梁佳博）2017年4月21日，香港科技大学陈敬教授应邀来到宽带隙半导体技术国家重点学科实验室进行学术访问，并为实验室师生带来了题为“GaN-on-SiPower Device and Integration Technology”的专题报告。

报告会上，陈敬教授首先综述了目前Si基GaN功率器件技术面临的挑战，然后向大家介绍了香港科技大学在GaN增强型器件技术和功率应用方面的最新进展，包括势垒层全刻蚀的MOSFET、双沟道异质结构MOS-HEMT、LPCVD沉积SiN栅绝缘层、PEALD沉积AlN钝化层、光泵浦在片退陷技术。最后，陈敬教授介绍了基于平面结构Si基GaN功率器件的单片集成，并就大家关心的问题与到会师生进行了广泛深入地交流。学术报告内容翔实，题材新颖，开阔了师生们的学术视野，受到大家的热烈欢迎。

陈敬教授个人简介：

陈敬教授，IEEE Fellow，工学博士，香港科技大学电子与计算机工程系教授。

1988年毕业于北京大学，1993年获得美国马里兰大学帕克分校博士学位，博士毕业后曾在日本NTTLSI实验室和美国安捷伦公司从事多年的III-V高速器件研发工作。2000年加入香港科技大学，目前主要致力于GaN功率器件技术研究及其应用推广工作。

陈敬教授已在IEEE Electron Device Letters等国际期刊和会议发表学术论文400余篇，其中在IEDM国际会议发表论文21篇，并获GaN电子器件相关的美国授权专利10项。陈敬教授目前是IEEE Fellow和IEEE电子器件协会功率半导体器件与集成电路领域的技术委员会委员，担任IEEETransactions on Electron Devices、IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques、Japanese Journalof Applied Physics等多个国际期刊的编辑。