9月20日，西安电子科技大学举行了第十二批国家“千人计划”创新人才长期项目入选者敖金平教授受聘仪式。西安电子科技大学副校长郝跃院士、校长助理高新波教授出席受聘仪式并讲话，人才办、微电子学院相关负责人和师生代表参加了受聘仪式。受聘仪式由微电子学院院长张玉明教授主持。

受聘仪式上郝跃院士宣读了聘任文件，为敖金平教授颁发聘书、佩戴校徽并对敖金平教授及其所作科研成果做了介绍。敖金平博士长期从事宽禁带半导体器件设计和制造领域的研究工作，在宽禁带氮化物半导体器件机理、器件结构设计和制造工艺开发、以及市场应用方面积累了雄厚的基础和丰富的经验。尤其在GaN微波毫米波器件和单片集成电路、增强型MOSFET电力电子器件、和微波整流用肖特基二极管方面取得了丰富的成果，发明了高温难溶TiN栅技术和可直接工作在交流下的单片集成LED阵列，开发了自对准栅GaN基FET器件结构和精确受控的刻蚀工艺，研制出极低开启电压和高击穿电压的GaN肖特基二极管，在未来太阳能开发利用和微波无线电能传输技术上可望获得广泛运用。他的加盟将对实验室科研起到积极的推动作用，将进一步加快实验室科技成果转化、推动实验室国际交流、提高实验室人才培养质量。

敖金平教授表示，自其参加工作以来，一直从事微电子科学相关的研究工作，与西安电子科技大学微电子学院有着良好的合作基础。西安电子科技大学宽禁带半导体技术实验室有良好的研究基础、科研条件和社会声誉，将致力于新型器件结构的研发，实现高效微波整流用GaN肖特基二极管的产业化，力争在高性能GaN电子器件科学研究方面实现新的突破。受聘仪式结束后，敖金平教授做了题为《Development ofGallium Nitride Electron Devices》的学术报告。

敖金平教授简介：

敖金平，博士，1989年毕业于武汉大学物理系，获理学学士学位，1992年获电子工业部第十三研究所半导体物理与半导体器件物理硕士学位，2000年获吉林大学微电子学与固体电子学博士学位。曾担任电子工业部第十三研究所GaAs超高速集成电路研究室副主任，高级工程师。2001年赴日本国立德岛大学作博士后研究员，并于2003年11月起加入德岛大学。主要从事基于GaN的光电器件和电子器件的研究工作。现任该大学大学院技术与科学研究部准教授，国内多家大学的兼职教授。在国际学术期刊和国际会议上发表论文180余篇，拥有包括可以直接在交流下工作的GaN LED单片阵列，晶体管型GaN紫外光探测器，微波整流用GaN肖特基势垒二极管和电能传输系统电路，GaN电子器件的制造工艺等多项发明专利。在微波GaN肖特基势垒二极管的研究开发方面，目前保持国际领先。敖博士是国际电气电子工程师协会(IEEE)高级会员，美国电气化学协会(ESC)会员，日本应用物理学(JSAP)会会员以及日本电子情报通信学会(IEICE)会员。2016年敖博士依托我校微电子与固体电子学学科入选中组部第十二批“千人计划”创新人才项目。