近日，我室张玉明教授团队在高压碳化硅功率器件（High Voltage SiC Power Device）研究方面取得了重要进展，张玉明教授团队通过自主研发，突破了电场调制终端保护技术、栅介质界面改善技术、有源区版图优化架构设计等多项关键技术，成功研制出1200V/2.5ASiCVDMOSFET芯片、1200V/ 100A 、3300V/ 50A 、5000V/ 5A 、6400V/500mA系列的SiCJBS芯片。它的成功研制，标志着我实验室已具备碳化硅高压大功率器件研发能力，并有可能突破国外相关单位在高端电力电子芯片领域的垄断地位。

近年来，在国家重大专项、教育重大支撑计划等项目的支持下，张玉明教授团队在碳化硅基础理论、外延材料生长和功率器件领域取得显著进展，碳化硅研究不断取得突破，研究成果先后在国际知名杂志《IEEE transaction on electron devices》、《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》和《Diamond and related materials》等发表。

碳化硅功率器件在电力电子领域作为“绿色器件”对实现节能降耗将起到重大作用,可广泛地电力推动、新能源汽车、轨道交通、家电、智能电网、太阳能、风力发电、电压转换等领域，碳化硅器件的应用将实现能源转换系统性能的颠覆性的转变。

碳化硅半导体是近期国际研究的热点，2013年日本政府将碳化硅纳入了“首相战略”，认为未来50%的节能要通过它来实现，创造清洁能源的新时代。而2014年初，美国总统奥巴马也亲自主导成立了美国的碳化硅产业联盟。以碳化硅半导体为代表的第三代宽禁带半导体获得联邦和地方政府的合力支持，1.4亿美元的总支持额将用于提升美国在碳化硅产业方面的国际竞争力。