第九届IWN国际会议（International Workshop on Nitride Semiconductors）于 2014 年 8 月 24 日 至29日，在波兰弗洛茨瓦夫市的百年厅召开。宽禁带半导体国防重点学科实验室 赵胜雷 博士、 陈伟伟 博士和李祥东硕士研究生3人应IWN-2014组委会的邀请参加了此次会议。本次会议由波兰科学研究院、弗洛茨瓦夫大学等单位承办，并得到了德国AIXTRON，德国LayTec，荷兰PANalytical，美国Plasma-Therm和波兰TopGaN公司的共同赞助。

IWN国际会议是关于氮化物半导体的国际知名会议，代表了氮化物在微电子领域的最新进展。IWN-2014吸引了来自世界各地的800多位氮化物方面的专家学者，其中参加此次会议的中国学者有40多位，分别自于西安电子科技大学，北京大学、香港科技大学、西安交通大学、中科院半导体所等高校或研究所。此次会议讨论的主题分为基础物理理论与表征、材料生长、电子器件和光学器件四个部分，参会专家就这四个方面的内容展开了讨论与交流。

宽禁带半导体国防重点学科实验室氮化镓课题组在此次会议上录用2篇oral论文和7篇poster论文。其中赵胜雷做了题为《Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with Thin and High Al Composition Barrier Layer Using O₂Plasma implantation》的演讲报告（论文作者为 张凯 博士），李祥东硕士做了《GaN DH-HEMTs with an Excellent Performance at High Temperature》的演讲报告。包括 陈伟伟 博士论文《Recovery Property of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under Reverse-Bias Stress》在内的7篇poster论文，其研究内容涉及GaN基HEMT可靠性、击穿电压的表征方法、材料的生长与表征等。会议期间，3位研究生同学与南卡罗来纳大学M. Asif Khan教授、意大利帕多瓦大学Enrico Zanoni教授、香港科技大学 陈敬 教授、西安交通大学 云峰 教授等国内外多位专家学者进行了不同程度的学术交流。通过认真听取报告、与其他专家学者交流讨论，西电GaN课题组了解到了本领域的最新研究热点，这对本课题组科研方面的发展具有很大的、积极的意义。通过展示本实验室的科研成果，进一步提高了西电宽禁带半导体材料与器件国防重点实验室的国际知名度，并为本实验室与其他科研院校的合作起到了一定的促进作用。

弗罗茨瓦夫百年厅

（从左到右依次为李祥东硕士，赵胜雷博士，陈伟伟博士）

著名GaN专家“蓝光LED之父” Shuji Nakamura作大会报告