第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议于2012年11月6日至8日在开封汴京饭店召开。宽带隙半导体技术国家重点实验室的郝跃教授、张进成教授、郑雪峰副教授、张鹏讲师及薛军帅博士等7位学生参加了这次会议。本次会议由中国半导体集成技术分会、电子材料分会主办，河南大学物理与电子学院、河南省光伏材料重点实验室承办。

两年一届的全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议是化合物半导体材料与器件领域的重要全国会议，内容涉及化合物半导体材料与器件研究方面我国的最新进展和研究动态，包括中科院半导体所的王占国院士、南京大学郑有炓院士，西安电子科技大学郝跃教授等全国各大院校和研究所（包括台湾地区）化合物半导体领域的多位专家学者出席了本次大会。会议包括GaN材料与器件、Ⅲ-Ⅴ族材料与器件，氧化物、氮化物LED器件，SiC Ge/Si与其他材料，ZnO材料与器件，Si基器件与其他微电子工艺等六个并列主题，会议气氛热烈，圆满成功，各位专家学者集中就化合物半导体中的材料中的重要化学和物理问题，器件的性能提高面临的主要技术障碍以及我国化合物半导体领域科学研究和产业发展的趋势与方向等相关重大问题进行深入的讨论。

会议期间，我校师生与国内同行进行了深入的交流和探讨，对实验室和课题组相关研究进行了积极宣传。郝跃教授做了《氮化物半导体电子器件的若干进展》的大会Oral报告，同时张进成教授作了《氮化物半导体多异质结结构与器件研究》的分会邀请报告，均获得了与会者的广泛关注和一致好评，对实验室研究成果给予了高度评价。论文报告和与专家们的交流互动对我校宽禁带氮化物半导体材料和器件的研究有重要的推动作用。