重点实验室派员赴日本参加IWN-2012会议

每两年一次的IWN（International Workshop on Nitride Semiconductors）-2012于2012年10月14日至19日在日本札幌国际会议中心召开。宽带隙半导体技术国家重点实验室的郝跃教授、张进成教授、郑雪峰副教授、薛军帅博士、张凯博士五人参加了这次会议。本次会议由日本应用物理学会主办，日本晶体生长协会、第162届宽禁带半导体光电与电子器件委员会、和日本学术振兴会协办。

IWN会议是氮化物半导体材料与器件领域的重要和系列性国际会议，内容涉及氮化物半导体材料与器件研究的最新进展和研究动态，来自33个国家的700多名该领域专家和学者参加了交流和讨论，其中中国有44人出席了本次大会。会议包括材料外延生长、光学器件、电子器件、和光电器件特性与表征等四个并列主题，集中就氮化物材料中的重要化学和物理问题、氮化物器件性能提高面临的主要技术障碍进行深入的讨论。

会议期间，与国内外同行进行了交流和探讨，对实验室和课题组相关研究进行了积极宣传。薛军帅做了《Pulsed Metal Organic Chemical Vapor Deposition of InAlN-based High Electron Mobility Transistors》的大会Oral报告，同时实验室《Advanced Etching Condition for Aggressive Shortening of Gate Foot》等四份文章作为 Poster发表，吸引了与会者的广泛关注，对实验室研究成果给予了高度评价。论文报告和与专家们的交流互动对我校宽禁带氮化物半导体材料和器件的研究有重要的推动作用。

札幌市会议中心
（从左到右依次为薛军帅博士、郑雪峰副教授、郝跃教授、张进成教授和张凯博士）


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