2010年1月11日，2009年度国家科学技术奖励大会在北京人民大会堂隆重举行。宽带隙半导体技术重点实验室郝跃教授作为获奖代表参加了大会并接受表彰。
在2009年度国家科学技术奖评选中，郝跃教授所率领的宽禁带半导体材料与器件研究团队获得了国家技术发明二等奖。获奖的团队成员包括张进成、李培咸、冯 倩、王冲等教师。