宽带隙半导体技术国防重点学科实验室学术委员会全体会议2009年12月24日在北校区召开,会议由学术委员会主任郝跃副校长主持。
会议听取了实验室主任张玉明教授所作的实验室工作报告。
会议还听取了郝跃教授所作的“宽禁带半导体电子器件与材料的研究进展”、张进成教授所作的“GaN基材料和器件的研究”和汤晓燕副教授所作的“SiC材料与器件的研究”3个学术报告。这些报告集中反映了重点实验室在近年来所取得的科研成果和研究方向，得到了学术委员会专家的一致好评。
学术委员会一致认为：实验室在科研项目总量与层次上取得了长足的进步，在承担国家重大项目方面又有了新的突破，科研工作取得了丰硕成果。实验室已形成团队优势，研究实力及国内外影响力不断提升。通过实验室不断加强对仪器设备及配套设施的投入，科学实验能力进一步得到提升。
学术委员会副主任夏建白院士、沈绪榜院士高度评价了重点实验室的工作，并希望实验室在进一步加强基础理论研究工作的同时，能及时将科研成果进行产业转化，促进我国国防，特别是西部微电子技术的飞跃。各位委员围绕实验室建设，从长远规规划、优化学术梯队及学缘结构、凝练研究方向、突出研究特色、增强国际学术人才交流、设备研制等方面，畅所欲言，发表了极富针对性和指导性的意见和建议，气氛热烈。
郝跃主任感谢各位专家的与会，他说，专家们提出的真知灼见将为实验室加强建设开辟新的思路，宽带隙半导体技术国防重点学科实验室是国防创新的重要平台，将进一步突出特色，加强基础研究，希望实验室能立足西部快速成长。
杨银堂副校长、科研处张都应副处长以及重点实验室部分师生参加了会议。