在国家自然科学基金支持下，我校微电子学院宽带隙半导体技术国防重点学科实验室许晟瑞副教授和郝跃教授等的研究论文“Yellow Luminescence of Polar and Nonpolar GaN Nanowires on r-Plane Sapphire by Metal Organic Chemical Vapor Deposition”于近日在国际著名期刊Nano letters（2012年SCI影响因子为13.025）上发表，见（http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl4015205）。

该论文首次揭示了氮化镓（GaN）纳米材料的一个重要性质：不同极性的GaN材料，其黄带发光性质有巨大差异。为此，论文提出了一种基于极性和晶体结构理论模型，解释了导致这种黄带差异的原因，并通过能谱实验验证了所提出的理论模型。