陷阱参数和位置的数值分析：AlGaN层的体陷阱
电流上升瞬态计算结果 应力和电流上升瞬态中陷阱状态变化
电流上升瞬态计算结果 应力和电流上升瞬态中陷阱状态变化（栅的漏端纵剖面）Zhang Jinfeng, Hao Yue,etal,Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2)pp:276–282
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