AlGaN/GaN HEMT慢瞬态分析

陷阱参数和位置的数值分析：AlGaN层的表面陷阱

器件结构 陷阱能级判断 应力中陷阱状态变化

电流上升瞬态计算结果 电流上升瞬态中器件表面导带随时间的变化