对HEMT器件进行长时间电应力实验表明：表面态和ALGaN或者GaN材料体中的缺陷引起了器件参数的明显变化。HEMT器件的热载流子效应值得关注，器件稳定性仍需深入研究。

Gu Wenping,Zhang Jincheng,Hao Yue, Chinese Physics B, Vol.18,No.4,2009

Gu Wenping,Hao Yue, Acta Physica Sinica,Vol.58,No.1,2009