AlGaN/GaN异质结电学特性随时间的退化Hall和C-V数据，异质结电学特性随空气中暴露时间增加而退化。表现为二维电子气密面密度起初快速下降，然后慢慢趋于饱和，二维电子气迁移率则基本不变。XRD实验发现，异质结材料中AlGaN面内应变较大的退化较明显。
本网站版权*西安电子科技大学宽带隙半导体国家重点实验室 陕ICP备06007346号 电话：029-88202073 电子邮箱：pjma@xidian.edu.cn技术支持：西安聚力
