腐蚀法表征GaN基材料的位错性质

210^oC下腐蚀2.5分钟和5分钟GaN薄膜表面形貌的SEM

235^oC下腐蚀2.5分钟和4分钟的GaN薄膜表面形貌的SEM图片

KOH腐蚀后的SEM图片，由于Al原子相对低的表面迁移率，使其在衬底上形成了较小的成核层晶粒，较小的岛合并产生了较多的位错

α型、β型和γ型腐蚀坑的SEM图片和相应的示意图

Gao zhiyuan,Hao Yue,Journal of Applied Physics,2008,p:104