MOS器件的热载流子效应
流函数在热载流子向栅注入过程的精确描述。用流函数建立了MOS器件的解析模型，根据所获得的对热载流子注入的精确描述模型和对损伤产生过程的综合物理描述模型完成了器件特性退化量及寿命的物理描述。
Tang Yusheng,Hao Yue, Analytic Models of Drain,Substrate and Gate Current Distribution in the Drain Section of MOSFETs, IEEE Trans. Electron Devices, Vol.48, No.10,2001,pp:2279-2291
