不同栅压下跨导漂移和衬底电流 不同栅压下Vth漂移和衬底电流

CHC和NBTI应力下Vth漂移和L的关系

Vth退化和跨导退化是由完全不同的两种机制控制。NBTI对Vth的影响与L无关，与长沟道下CHC引起

Vth漂移相同，测量相同条件长沟器件CHC的漂移，可将短沟道CHC应力下的NBTI漂移值分离，分解出这两种效应各自对器件参数漂移的影响。

Liu Hongxia, Yue Hao,Interaction and explanation of NBTI with hot carriers in ultra-deep submicron PMOSFETs. Chinese Physics. 2007,16(7)pp:2111-2115