不同空穴电流密度J_hole，不同Vg应力，不同激活能方差σ

pMOS器件的V_th漂移 归一化的NBTI影响的空穴迁移率退化

建立了NBTI效应模型。栅压和温度的变化改变V_th漂移的幅度，退化斜率不变。激活能不同证实反应物不同，参数退化有不同的斜率。模型成功解释了NBTI效应的反应过程。

郝跃，韩晓亮，刘红侠，电子学报，2003,31(12A)pp:2063-2065