宽禁带半导体国家工程研究中心由西安电子科技大学承担建设，并联合相关企业参与，是我国开展以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体技术研究与开发、科技成果转化、高层次创新型和管理型复合人才培养、科技合作与交流的国家级研究基地和工程服务平台。

中心承建单位西安电子科技大学是国内最早开展半导体物理专业人才培养和科学研究的单位之一，1957年开始半导体和微电子科学与技术的研究工作，1987年成立微电子研究所，2003年依托国家集成电路人才培养基地成立微电子学院，2004年建成宽禁带半导体材料教育部重点实验室，在国内半导体产业蓬勃发展的背景下于2019年获批建设国家工程研究中心。经过几代西电微电子人的不懈努力和持续奋斗，当前在郝跃院士的带领下，中心正朝着建设国际领先、国内一流化合物半导体器件与集成电路工程技术创新基地奋勇前进。

中心坚持“应用导向、创新驱动”的发展方针，围绕国家重大战略部署，瞄准国际宽禁带半导体前沿技术，聚焦工程重大技术问题和行业实际发展需求，深化“产-学-研-用”合作，充分利用西安电子科技大学现有的研究基础，为合作单位提供“技术攻关、技术转让、技术咨询、技术服务”，吸引上下游相关单位形成“宽禁带半导体产业发展联盟”，促进我国第三代半导体产业高质量发展。

中心现有固定人员86人，其中科研人员80人，专职管理人员6人，研究团队包括中科院院士1人、工程院院士1人、中科院外籍院士1人、“973首席科学家”1人、长江学者3人、“国家创新人才”4人、“万人计划”3人、“杰出青年”基金获得者3人、“优秀青年”基金获得者2人、新世纪优秀人才4人、入选陕西省科技创新团队2个、陕西省“百人计划”3人、陕西省“青年科技新星”7人。

中心累计获得国家技术发明奖二等奖3项，国家科学技术进步奖一等奖1项、二等奖3项，获得2019年陕西省最高科学技术奖；获国家教学成果奖一等奖1项、二等奖1项；发表核心期刊论文800余篇;拥有国家发明专利660余项，已对外授权技术许可100余项。