一、活动主题

金属电子封装材料的互连机理与服役可靠性研究

伴随电子产品向小型化、轻薄化、高性能和多功能方向的发展，芯片封装也进一步向着高集成度、高输入/输出密度方向迈进，对于封装技术和封装材料都提出了新的挑战。金属互连在集成电路中既起到电路连接作用，又起到机械连接作用。随着封装节距的不断减小，封装密度的不断提升，互连尺寸也越来越小，其在封装过程中的界面反应决定了元器件的制造质量。另一方面，元器件高频、高导通电流等性能需求使得金属互连的工作环境愈加苛刻，其服役行为直接决定着元器件的寿命。本报告主要针对金属封装材料（焊料、镀层、键合丝等），利用不同表征技术研究其界面互连及服役使用过程中的微观组织演变和失效行为（IMC转变、元素扩散、缺陷生成、裂纹扩展等），从而阐明互连机理并评价其服役可靠性（高温存储、热循环、电迁移等），为提高电子材料的性能和封装结构的寿命提供理论依据和解决方案。

二、活动时间及地点

时间：2023年03月20日9:00 -- 12:00

地点：西电广州研究院厚德楼2009会议室

三、活动流程

9:00-9:30签到

9:30-10:00活动开场

10:00-11:00主题分享

11:00-11:30问答交流

11:30-12:00茶歇交流

四、嘉宾介绍

刘志权，中国科学院深圳先进技术研究院 研究员（三级），创新课题组长，中国科学院大学/中国科学技术大学博士生导师，中国科学院“百人计划”海外引进学者。中国电子学会电子制造与封装技术分会理事，国家集成电路封测产业链技术创新战略联盟会员，国家集成电路标准化总体工作组成员。

长期从事与性能相关的材料结构及功能的显微组织表征和原位制备研究，研究重点为微电子材料和封装结构的组织性能及服役可靠性。主要针对微电子材料及其互连界面和封装结构，进行材料微观结构与性能演化方面的应用基础研究。包括材料和界面结构的静态表征，以及在热、电、力作用下化合物转变和缺陷演化的动态过程，以从微观角度探讨材料和界面失效的相关机理，为提高微电子材料性能和互连界面可靠性提供理论依据和解决途径。

截至目前，在包括Nature，Science，ACS Catalyst，Phys. Rev. Lett.，Acta Mater.，Nanotechnology等国际杂志上发表期刊论文160余篇，SCI收录130余篇（JCR1区60余篇），第一作者/通讯作者90余篇，被他人引用4000余次。另发表EI收录国际会议论文30余篇，在国际会议上做邀请报告10余次。获授权中国发明专利21项、日本发明 专利1项及美国发明专利1项，另申请受理中国发明专利17项。承担及参加包括中国科学院百人计划项目、国家科技重大专项02集成电路封测项目、国家重大基础研究计划973项目、国家重点研发计划重点专项等10余项。与国际同行合作开发的三维透射电镜表征技术（3D-OMiTEM）入选2011年度美国材料学会焦点新闻，并荣获2012年度美国显微学会创新奖。

目前研究领域及方向：

1.新型微电子互连材料的开发与应用探索；

2.锡基无铅互连界面的微观组织演变和失效机制研究；

3.高密度封装结构的多场服役可靠性评价；

4.材料表面与界面的原子结构表征及原位相变观察。

五、报名方式

报名链接：https://www.wjx.top/vm/ODkq86Y.aspx#

报名二维码：