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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：等离子体物理 集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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A step-by-step experiment of 3C-SiC hetero-epitaxial growth on 4H-SiC by CVD
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所属单位：微电子学院
发表刊物：APPLIED SURFACE SCIENCE
第一作者：Xin, Bin; Jia, Ren-Xu; Hu, Ji-Chao; Tsai, Cheng-Ying; Lin, Hao-Hsiung; Zhang, Yu-Ming
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000366216900129
卷号：357
页面范围：985-993
ISSN号：0169-4332
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI