郑雪峰，博士、教授。2001年、2004年分别获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学学士、硕士学位。2010年获英国Liverpool John Moores大学博士学位。2010年回西安电子科技大学工作，先后晋升为副教授、教授职称。

先后在半导体器件缺陷表征、新型宽禁带半导体器件及可靠性方面做出了重要的研究成果。开发了双脉冲CV、多脉冲IV缺陷表征技术，结合缺陷表征理论，国际上首次实现了高k材料内缺陷能级位置的完整表征，解决了原有缺陷表征方法表征范围窄的难题，为器件可靠性的提高提供了技术支撑。相关工作发表在IEEE Trans. Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、International Electron Device Meeting等业内国际顶级期刊杂志上。针对氮化镓器件产业化遇到的难题，从器件结构、工艺创新等角度，重点解决了器件高电压下退化严重、一致性差等问题，使我校成为国内唯一一家具备氮化镓器件小批量生产能力的高校。制定了我国第一部GaN微波功率器件的详细规范，为我国GaN器件提供了国家标准。关键技术已经进行了应用，实现了产业化转移，累计经济效益逾千万元，为我国在该领域突破国外核心技术封锁起到了重要作用。

近五年来，本人承担国家自然科学基金面上项目、国家自然科学基金青年项目、国家科技重大专项子课题等共10余项，可支配经费一千余万元。先后获得陕西省科学技术进步一等奖、教育教学成果特等奖等5项。