前imec 氮化镓器件研发组组长。毕业于比利时鲁汶大学并获得博士学位。自2012年始，深度参与并领导imec GaN器件研发。全球首发了200mm CMOS兼容的650V GaN 横向晶体管，且通过工业级别可靠性验证。基于MVSG模型，为imec GaN器件建立了物理紧凑模型，开发了GaN集成电路设计平台的PDK。欧盟项目UltimateGaN课题负责人，开发1200V GaN 垂直器件 及 应用于Lidar 的100V GaN 横向器件。

邮箱 :a8e39c930de555ee9e00ff2291e08930be18d2b816b42f3683997f3d89c011bafa2634bf67073976201acdce4a70f136e073ba1f747c8ee31050aa87f68b88b0399f89e6abfd3a08a9d43b4e891e07b132b2b40241f5648fd1a9458b60803ee078b91665f55ad738b8663c138dfe5611580a5f8263439c316f531f2633ccfca7

1996.9 -- 2000.7
华东师范大学 微电子学与固体电子学 本科毕业 学士学位

2000.9 -- 2003.7
华东师范大学 微电子学与固体电子学 硕士研究生 硕士学位

2007.10 -- 2012.7
比利时鲁汶大学 微电子学与固体电子学 博士研究生毕业 博士学位

2003.7 -- 2007.7

华东师范大学讲师

2006.7 -- 2007.7

比利时欧洲微电子中心（IMEC）访问学者

2007.10 -- 2012.8

比利时欧洲微电子中心（IMEC）博士研究生博士研究生

2012.8 -- 2022.1

比利时欧洲微电子中心（IMEC）研究员及研发组长研究员及研发组长

2022.2 -- 至今

西安电子科技大学广研院教授教授

IWN2022 comittee

ESREF2021 comittee

2019.10 -- 2022.5

IRPS comittee （2020/2021/2022/2023年）

氮化镓集成电路工艺

器件物理紧凑模型

氮化镓宽禁带半导体电力电子器件与可靠性