|
个人信息：Personal Information
高级工程师
性别：男
毕业院校：西安微电子技术研究所
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：微电子学与固体电子学
电子邮箱：
扫描关注
一种TSV硅通孔和单层RDL再布线一次性整体成型方法
点击次数：
所属单位：微电子学院
专利范围：国内
第一作者：杨力宏
专利类型：发明
申请号：CN201911177527.0
授权号：CN201911177527.0
发明人数：6
是否职务专利：否
申请日期：2019-11-27