杨林安，男，1965年11月出生，籍贯河北省。博士，教授，博士生导师，IEEE会员。1986、1989、2003年分别获西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业本科、硕士和博士学位。1999年起从事宽禁带半导体SiC和GaN微波功率器件理论和工艺研究；2004-2005年博士后流动站工作；2007年为日本国立德岛大学工学部客座教授；多年来科研工作包括纳米CMOS器件可靠性、碳化硅和氮化镓宽禁带半导体材料和微波大功率器件工艺等，目前主要研究领域为宽禁带半导体毫米波、亚毫米波/太赫兹器件理论和关键技术。在相关领域国际期刊和国际会议上发表论文100余篇并授权多项发明专利，主持和参与多项国家自然科学基金面上和重点项目。