自2002年以来，一直在西安电子科技大学宽带隙半导体重点实验室从事氮化物半导体材料和器件的研究工作，具体负责氮化物半导体器件工艺研究和新结构器件设计。主持国家重点研发计划项目，主持国家自然科学基金项目2项。参加完成多项国家863计划项目、重大基础研究项目及重大专项项目。在氮化物半导体材料和器件的研究方面积累了丰富的经验，尤其是善长新结构器件研究，曾创新性地提出了多项新型器件结构及新工艺，得到多项处于国际领先水平的器件指标，主要的成果有：

（1）GaN基微波功率器件方面：器件工艺优化研究使得器件击穿电压提高50%以上，C波段功率密度达到13W/mm，效率达到70%以上，达到国际先进水平；深亚微米栅专利技术，实现了简单易行的小栅长制作工艺；国际上首次采用透明AZO栅材料制作GaN基器件，定量的表征了器件陷阱密度。

（2）GaN基高压功率器件方面：采用槽栅MIS结构研究出了GaN增强型器件，阈值电压达到3V以上，饱和电流达到,500mA/mm以上，达到国际先进水平。采用p-GaN帽层结构，研制出的GaN增强型器件，阈值电压达到2V以上，饱和电流达到500mA/mm,增器件击穿电压达到2300V，器件特性达到国际领先水平。采用MIS结构结合p-GaN帽层结构，研究出了GaN增强型器件，阈值电压达到4V以上，击穿电压达到1900V，处于世界领先水平。

(3)GaN基二极管器件方面：采用创新结构研究出的GaN基肖特基二极管，器件正向开启电压低至0.2V，击穿电压达到2000V以上。并采用多沟道结构进一步降低器件的导通电阻，采用晶格匹配的5沟道异质结材料，实现了世界已报道的最小导通电阻1.8欧姆/毫米。

(4) GaN基新结构及工艺研究方面：完成了GaN微波功率器件的关键工艺过程优化，创新性的提出了新型的FinFET器件结构和新工艺，国际上率先提出了多沟道FinFET结构，建立了多沟道FinFET器件理论模型并进行深入的机理分析。国际首次采用的图形化欧姆接触专利技术使得器件接触电阻减小为原有1/3。