汤晓燕

个人信息:Personal Information

教授 博士生导师 研究生导师

性别:女

毕业院校:西安电子科技大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:东大楼515c

电子邮箱:

扫描关注

专利

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 专利

N型隐埋沟道的碳化硅DEMOSFET器件及制备方法

点击次数:

所属单位:100900

教研室:1114

专利范围:1

第一作者:汤晓燕

专利类型:1

申请号:201110122724.X

发明人数:2

是否职务专利:

申请日期:2011-05-12

授权日期:2013-06-26

Baidu
map