汤晓燕
个人信息:Personal Information
教授 博士生导师 研究生导师
性别:女
毕业院校:西安电子科技大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士学位
在职信息:在岗
所在单位:集成电路学部
学科:微电子学与固体电子学
办公地点:东大楼515c
电子邮箱:
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- [1]Analytical models of on-resistance and breakdown voltage for 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes.SOLID-STATE ELECTRONICS.2015,103 :83-89
- [2]Influence of three-dimensional p-buried layer pattern on the performance of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diode.JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS.2015,54 (10)
- [3]Influence of charge imbalance on breakdown voltage of 4H-SiC semi-superjunction VDMOSFET.Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica.2014,63 (20)
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