汤晓燕，女，教授，博士生导师，IEEE Member

2002年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业硕士学位。

2008年获得西安电子科技大学微电子学与固体电子学专业博士学位。

2002年晋职讲师，2005年晋升副教授，2012年晋升教授。

2014年在澳大利亚格里菲斯大学的昆士兰微纳技术中心进行了为期一年的访学。

新一代高性能的电力、电源系统中高功率器件是其中的关键部件。传统的硅基功率器件在更高耐压、更高功率等级应用时面临着能源转换效率低、能耗大的技术瓶颈。而碳化硅（SiC）电力电子器件由于其优异的物理特性决定了其在中高压、高功率等领域具有极大的优势。碳化硅功率器件技术在高压高功率领域的应用可革命性地提升转换效率、降低损耗和系统成本，对于形成新一代能量转换系统的核心技术，具有重要的战略意义。本人所在研究团队在SiC材料、器件及应用领域在国内高校处于领先地位。

本人主要从事宽禁带半导体材料表征，SiC器件的模拟、仿真和新型大功率器件研制与应用、抗辐照功率器件、脉冲功率器件等方面的研究工作。负责国家自然科学青年基金项目，国家自然科学面上基金项目，高校基本科研业务费项目等，参与多项国家级科研项目，国家重大专项，教育部支撑计划项目，国家自然科学基金重点项目等。主要完成了对SiC MOSFET器件设计和模拟、SiC MOS界面物理研究，SiC大功率器件研制等多项研究工作，在国内外重要期刊发表论文二十余篇，SCI，EI检索十余篇。申请专利五十余项，十余项获得授权。

张玉明教授团队（宽禁带半导体：第二次电气革命的基础）

张玉明教授团队是微电子学院中科研实力最雄厚的课题组之一，研究方向为高频、宽带、大功率电子器件及相关材料，其中对 SiC、Ⅲ-Ⅴ 族化合物和石墨烯的研究达到国际前沿、国内领先水平。在国内外知名学术刊物发表论文二百余篇，其中一百余篇论文被SCI、EI和ISTP收录。在长期保持高水准的科学研究下，本课题组受到了国家重大专项、教育部重大支撑计划、 973国家重点基础研究发展计划、国家自然基金等多项重大项目的资金支持。

SiC功率器件及应用方向团队的成员包括：
张玉明教授、汤晓燕教授、宋庆文教授、张艺蒙教授、元磊副教授、袁昊副教授