Profile:

孙静，陕西西安人，工学博士，讲师，硕士生导师。

2015年7月至2020年12月，西安电子科技大学，博士，材料物理与化学专业，师从马晓华教授；

2019年10月至2020年10月，Northwestern University，博士联合培养，导师John A. Rogers；

2011年8月至2015年7月，西安电子科技大学，电子科学与技术专业，本科。

长期从事宽禁带半导体材料与器件、新型信息存储技术等方面的研究。先后主持了国家自然科学基金青年项目、陕西省自然科学基础研究计划青年项目、广东省基础与应用基础研究项目、中央高校基本业务费等，参与了多项国家科技重大专项、国家自然科学基金面上项目等。以第一作者身份在"Small"、“Applied Surface Science”“IEEE Electron Device Letters”等国际期刊上发表论文近十篇，部分研究成果被IEEE Spectrum等网站作为研究亮点进行报道，此外还担任多个著名期刊的审稿人。

欢迎有志于宽禁带半导体材料与器件、新型信息存储等方向的研究生咨询与加盟！

部分研究成果：

1.Jing Sun, Zhan Wang, Xiaohua Ma, et al. Transient form of polyvinyl alcohol-based devices with configurable resistive switching behavior for security neuromorphic computing.Applied Physics Letters, 2023, 122, 173505.（中科院二区TOP，IF=4）

2.Jing Sun, Zhan Wang, Xiaohua Ma, et al., Physical Unclonable Functions Based on Transient Form of Memristors for Emergency Defenses.IEEE Electron Device Letters, 2022, 43, 378.（中科院二区，IF=4.9）

3.Jing Sun, Hong Wang, Xiaohua Ma, et al. Physically Transient Memristive Synapse With Short-Term Plasticity Based on Magnesium Oxide.IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(5), 706-709. (IEEE Spectrum特别报道)（中科院二区，IF=4.221）

4.Jing Sun, Hong Wang, Xiaohua Ma, et al. Physically Transient Resistive Switching Memory with Material Implication Operation.IEEE Electron Device Letters, 2019, 40(10), 1618-1621.（中科院二区，IF=4.221）

5.Jing Sun, Hong Wang, Xiaohua Ma, et al. Physically Transient Threshold Switching Device Based on Magnesium Oxide for Security Application.Small, 2018, 14, 1800945, IF=13.3. (封面文章)（中科院一区TOP，IF=10.856）

6.Jing Sun, Hong Wang, Xiaohua Ma, et al. Electric Crosstalk Effect in Valence Change Resistive Random Access Memory.J. Electron. Mater., 2017, 46, 5296-5302.（中科院四区，IF=1.566）

7.Jing Sun, Hong Wang, Xiaohua Ma, et al. Contact-Size-Dependent Cutoff Frequency of Bottom-Contact Organic Thin Film Transistors,Chin. Phys. Lett., 2015, 32(10), 107304.（中科院三区，IF=0.875）

8.Zhan Wang,Jing Sun (共同一作), Haolin Wang, et al. 2H/1T phase WS2(1−x)Te2x alloys grown by chemical vapor deposition with tunable band structures, Applied Surface Science, 2020, 504, 144371.（中科院一区TOP, IF=6.7）

9.Zhan Wang, Cheng Kai,Jing Sun(共同一作), et al. Ultra-Wide bandgap Quasi Two-Dimensional β-Ga2O3 with highly In-Plane anisotropy for power electronics, Applied Surface Science, 2023, 619, 156771.（中科院一区TOP, IF=6.7）

10.Bingjie Dang,Jing Sun, Teng Zhang, et al. Physically Transient True Random Number Generators Based on Paired Threshold Switches Enabling Monte Carlo Method Applications. IEEE Electron Device Letters, 2019, 40, 1096.（中科院二区，IF=4.221）