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个人信息：Personal Information
研究员
性别：男
出生日期：1977-04-09
毕业院校：其他(境内)
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
入职时间：2018-03-26
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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基于应力-强度干涉模型的封装器件高过载失效率预测方法
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所属单位：微电子学院
第一作者：单光宝
专利类型：发明
申请号：CN202410153588.8
授权号：CN202410153588.8
是否职务专利：否
授权日期：2024-02-02