单光宝

个人信息:Personal Information

研究员

性别:男

出生日期:1977-04-09

毕业院校:西安微电子技术研究所

学历:博士研究生毕业

学位:工学博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

入职时间:2018-03-26

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

扫描关注

专利

当前位置:中文主页>>科学研究>>专利

基于穿透通孔的高集成度高屏蔽的变压器结构

点击次数:

所属单位:微电子学院

专利范围:国内

第一作者:单光宝

专利类型:发明

申请号:CN202110066140.9

授权号:CN202110066140.9

是否职务专利:

授权日期:2021-01-19

Baidu
map