特聘教授	西安电子科技大学	2022至今
副教授	西安电子科技大学	2021—2022
博士后	美国密歇根大学安娜堡分校	2019—2021
	加拿大麦吉尔大学	2019—2020
博士	加拿大麦吉尔大学	2012—2019
本科	华侨大学	2008—2012

2021年获国家自然科学基金优秀青年基金项目（海外），长期致力于从基础材料和结构出发，提升器件性能并开发新型特性与功能，研究方向包括GaN基材料外延生长、微纳结构加工工艺、微纳光电和电子器件以及器件模拟仿真等。曾参与多个美国国家科学基金、加拿大自然科学与工程研究理事会、韩国三星集团、美国NS Nanotech Inc.公司等机构资助的科研项目，在GaN基材料生长、加工工艺、器件物理方面积累了多年经验，针对紫外激光、p型掺杂导电、高性能发光等重要难题做了大量的前沿性探究。目前在Nature Nanotechnology、Photonics Research、Progress in Quantum Electronics、Applied Physics Letters和Optics Express 等高水平期刊发表40余篇学术论文并被引用1300余次，被诺贝尔奖获得者和国内外7位院士引用和积极评价，多次在国际学术会议获墙报奖和论文奖，研究成果被半导体工业界杂志Semiconductor Today及Compound Semiconductor数次报道。

招聘信息(更新于2022.07.01)

目前招聘博士后一名，有意向者请通过邮箱或手机联系我，待遇详情可与人力资源详谈。

经验要求：MOCVD/MBE外延生长；微纳加工；PL/EL测试。

加分经验：具有设计优化微纳加工工艺的能力；具有器件仿真的能力；具有自主搭建调试光路的能力。

研究方向

研究领域：GaN基材料外延生长、低维微纳结构的生长加工、电学与光电性质表征与物理机制、载流子输运动力学、器件物理与设计仿真。

器件应用：新型电子与光电器件、micro-LED、新型显示驱动、紫外LED、半导体激光、单光子源、光探测器等。

标志性成果

1. 首次利用纳米线阵列中的光的安德森局域化实现了334 nm的硅基电泵浦紫外随机激光，为同期电泵浦紫外激光的最短发光波长；

2. 实现超宽禁带AlN及高铝组分AlGaN的高效p型掺杂；

3. 实现形貌、位置、尺寸充分可控的纳米线阵列的选区外延，并以此方法实现发光性能极其稳定的纳米线光子晶体绿光micro-LED、多色发光的单次外延单片集成、以及外量子效率大于10%的亚微米级micro-LED，为目前世界最高纪录。

成果获奖

1. Outstanding Poster Presentation Award，该奖是第13届国际氮化物半导体会议13th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS)的优秀墙报奖，该会议是国际上氮化物半导体研究领域规模最大最具有影响力的会议之一

2. Distinguished Paper Award，该奖是2020国际信息显示协会(SID)年会 Society for Information Display 2020 International Symposium 的杰出论文奖，该协会是国际上显示技术领域学术界和工业界都最具有影响力的协会。

3. Best Paper Award，该奖是第27届International Display Workshops(IDW)的最佳论文奖，该会议由显示领域两大最有影响力的学会，国际信息显示协会和日本的映像信息媒体学会(映像情報メディア学会) 。

4. Best Student Presentation Award，该奖是第11届半导体发光器件国际研讨会 11th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED)的墙报奖，该会议专注于半导体发光器件领域，在该领域具有广泛国际影响力。

招生信息

每年5名硕士研究生和1名博士研究生，可推荐至美国加拿大的合作课题组深造。

代表性论文

[1]K. H. Li, X. Liu（共同一作）, Q. Wang, S. Zhao, and Z. Mi, “Ultralow-threshold electrically injected AlGaN nanowire ultraviolet lasers on Si operating at low temperature,” Nat. Nanotech., vol. 10, pp. 140-144, 2015.

[2]X. Liu, Y. Sun, Y. Malhotra, A. Pandey, P. Wang, Y. Wu, et al., "N-polar InGaN nanowires: breaking the efficiency bottleneck of nano and micro LEDs," Photon. Res., vol. 10, pp. 587-593, 2022.

[3]X. Liu, Y. Sun, Y. Malhotra, Y. Wu, and Z. Mi, "Monolithic integration of multicolor InGaN LEDs with uniform luminescence emission," Opt. Express, vol. 29, pp. 32826-32832, 2021.

[4]X. Liu, Y. Wu, Y. Malhotra, Y. Sun, and Z. Mi, "Micrometer scale InGaN green light emitting diodes with ultra-stable operation," Appl. Phys. Lett., vol. 117, p. 011104, 2020.

[5]X. Liu, S. Zhao, B. H. Le, and Z. Mi, "Molecular beam epitaxial growth and characterization of AlN nanowall deep UV light emitting diodes," Appl. Phys. Lett., vol. 111, p. 101103, 2017.