郝跃

个人信息:Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

扫描关注

专利

当前位置:中文主页>>科学研究>>专利

基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法

点击次数:

所属单位:100900

教研室:2101

专利范围:1

第一作者:郝跃

专利类型:1

申请号:201110361514.6

发明人数:8

是否职务专利:

申请日期:2011-11-16

授权日期:2014-12-10

Baidu
map