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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
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所属单位：微电子学院
专利范围：国内
第一作者：郝跃
专利类型：发明专利
申请号：201110361530.5
发明人数：8
是否职务专利：否
申请日期：2011-11-16
授权日期：2014-09-24