郝跃

个人信息:Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

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专利

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GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法

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所属单位:微电子学院

专利范围:国内

第一作者:张进成

专利类型:发明专利

申请号:201210132145.8

发明人数:10

是否职务专利:

申请日期:2012-04-29

授权日期:2014-08-20

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