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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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Threshold voltage engineering in GaN-based HEMT by using La2 O3 gate dielectric
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所属单位：微电子学院
发表刊物：Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics
论文编号：EI 20160801969532
卷号：13
期号：5-6
页面范围：325-327
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：EI