 |
个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
扫描关注
Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with thin and high Al composition barrier layers using O-2 plasma implantation
点击次数：
所属单位：微电子学院
发表刊物：PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
第一作者：Zhang, Kai; Chen, Xing; Mi, Minhan; Zhao, Shenglei; Chen, Yonghe; Zhang, Jincheng; Ma, Xiaohua; Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000354405000030
卷号：212
期号：5
页面范围：1081-1085
ISSN号：1862-6300
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI