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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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Effect of gate length on breakdown voltage in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor
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所属单位：微电子学院
发表刊物：CHINESE PHYSICS B
第一作者：Luo, Jun^Zhao, Sheng-Lei^Mi, Min-Han^Chen, Wei-Wei^Hou, Bin^Zhang, Jin-Cheng^Ma, Xiao-Hua^Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000370179100064
卷号：25
期号：2
ISSN号：1674-1056
是否译文：否
发表时间：2016-01-01
收录刊物：SCI