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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：微电子学院
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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Influence of the gate edge on the reverse leakage current of AlGaN/GaN HEMTs
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所属单位：微电子学院
发表刊物：AIP ADVANCES
第一作者：Chen, YongHe; Ma, XiaoHua; Chen, WeiWei; Hou, Bin; Zhang, JinCheng; Hao, Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000362562100061
卷号：5
期号：9
ISSN号：2158-3226
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI