郝跃

个人信息:Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:集成电路学部

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

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论文成果

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InAlN/InGaN/GaN double heterostructure with improved carrier confinement and high-temperature transport performance grown by metal-organic chemical vapor deposition

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所属单位:微电子学院

发表刊物:SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

第一作者:Zhao, Yi; Xue, Jun Shuai; Zhang, Jin Cheng; Zhou, Xiao Wei; Yue, Ya Chao Zhang

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000356861800009

卷号:30

期号:7

ISSN号:0268-1242

是否译文:

发表时间:2015-01-01

收录刊物:SCI

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