郝跃
个人信息:Personal Information
教授
性别:男
毕业院校:西安交通大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士学位
在职信息:在岗
所在单位:集成电路学部
学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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InAlN/InGaN/GaN double heterostructure with improved carrier confinement and high-temperature transport performance grown by metal-organic chemical vapor deposition
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所属单位:微电子学院
发表刊物:SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
第一作者:Zhao, Yi; Xue, Jun Shuai; Zhang, Jin Cheng; Zhou, Xiao Wei; Yue, Ya Chao Zhang
论文类型:Article
论文编号:SCI WOS:000356861800009
卷号:30
期号:7
ISSN号:0268-1242
是否译文:否
发表时间:2015-01-01
收录刊物:SCI