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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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Trap states induced by reactive ion etching in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
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所属单位：微电子学院
发表刊物：CHINESE PHYSICS B
第一作者：Luo Jun; Zhao Sheng-Lei; Mi Min-Han; Hou Bin; Yang Xiao-Lei; Zhang Jin-Cheng; Ma Xiao-Hua; Hao Yue
论文类型：Article
论文编号：SCI WOS:000366944000065
卷号：24
期号：11
ISSN号：1674-1056
是否译文：否
发表时间：2015-01-01
收录刊物：SCI