郝跃

个人信息:Personal Information

教授

性别:男

毕业院校:西安交通大学

学历:博士研究生毕业

学位:博士学位

在职信息:在岗

所在单位:微电子学院

学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学

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论文成果

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Improved performance of AlGaN/GaN HEMT by N2O plasma pre-treatment

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所属单位:微电子学院

发表刊物:CHINESE PHYSICS B

第一作者:Mi Min-Han; Zhang Kai; Zhao Sheng-Lei; Wang Chong; Zhang Jin-Cheng; Ma Xiao-Hua; Hao Yue

论文类型:Article

论文编号:SCI WOS:000350829700064

卷号:24

期号:2

ISSN号:1674-1056

是否译文:

发表时间:2015-01-01

收录刊物:SCI

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