郝跃
个人信息:Personal Information
教授
性别:男
毕业院校:西安交通大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士学位
在职信息:在岗
所在单位:微电子学院
学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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Improved performance of AlGaN/GaN HEMT by N2O plasma pre-treatment
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所属单位:微电子学院
发表刊物:CHINESE PHYSICS B
第一作者:Mi Min-Han; Zhang Kai; Zhao Sheng-Lei; Wang Chong; Zhang Jin-Cheng; Ma Xiao-Hua; Hao Yue
论文类型:Article
论文编号:SCI WOS:000350829700064
卷号:24
期号:2
ISSN号:1674-1056
是否译文:否
发表时间:2015-01-01
收录刊物:SCI